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IS43LR32160C

4M x 32Bits x 4Banks Mobile DDR SDRAM

文件:1.95251 Mbytes Page:47 Pages

ISSI

矽成半导体

IS43LR32160C

Mobile DDR SDRAM

ISSI

矽成半导体

封装/外壳:90-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:90-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA 集成电路(IC) 存储器

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知名厂家

动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR

ISSI

矽成半导体

动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR

ISSI

矽成半导体

4M x 32Bits x 4Banks Mobile DDR SDRAM

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矽成半导体

更新时间:2025-11-17 19:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI
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BGA-90
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ISSI/芯成
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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ISSI(美国芯成)
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TFBGA-90(8x13)
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BGA90
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ISSI
23+
BGA
4500
ISSI存储芯片在售

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