您好,欢迎来到114ic资料网！

芯片资料
  • 数据手册
  • 丝印反查
  • 库存查询
  • 行业新闻
  • 生产厂家
  • 替换型号
  • 晶体管

位置：首页 > IC中文资料第12831页 > IS43DR16640B-25EBLI-TR

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IS43DR16640B-25EBLI-TR

封装/外壳：84-TFBGA 包装：卷带（TR） 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA 集成电路（IC） 存储器

ETC

知名厂家

IS43DR16640B-25DBI

1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM

FEATURES  Clock frequency up to 400MHz  8 internal banks for concurrent operation  4‐bit prefetch architecture  Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6 and 7  Programmable Additive Latency: 0, 1, 2, 3, 4, 5 and 6  Write Latency = Read Latency‐1  Programmable Burst Sequence: Sequential

ISSI

北京矽成

IS43DR16640B-25DBL

1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM

FEATURES  Clock frequency up to 400MHz  8 internal banks for concurrent operation  4‐bit prefetch architecture  Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6 and 7  Programmable Additive Latency: 0, 1, 2, 3, 4, 5 and 6  Write Latency = Read Latency‐1  Programmable Burst Sequence: Sequential

ISSI

北京矽成

IS43DR16640B-25DBLI

1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM

FEATURES  Clock frequency up to 400MHz  8 internal banks for concurrent operation  4‐bit prefetch architecture  Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6 and 7  Programmable Additive Latency: 0, 1, 2, 3, 4, 5 and 6  Write Latency = Read Latency‐1  Programmable Burst Sequence: Sequential

ISSI

北京矽成

IS43DR16640B-25EBL

1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM

FEATURES  Clock frequency up to 400MHz  8 internal banks for concurrent operation  4‐bit prefetch architecture  Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6 and 7  Programmable Additive Latency: 0, 1, 2, 3, 4, 5 and 6  Write Latency = Read Latency‐1  Programmable Burst Sequence: Sequential

ISSI

北京矽成

IS43DR16640B-25EBLI

1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM

FEATURES  Clock frequency up to 400MHz  8 internal banks for concurrent operation  4‐bit prefetch architecture  Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6 and 7  Programmable Additive Latency: 0, 1, 2, 3, 4, 5 and 6  Write Latency = Read Latency‐1  Programmable Burst Sequence: Sequential

ISSI

北京矽成

IS43DR16640B-25EBLI-TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS43DR16640B-25EBLI-TR

  • 功能描述

    动态随机存取存储器 1G(64Mx16) 400MHz DDR2 1.8v

  • RoHS

    否

  • 制造商

    ISSI

  • 数据总线宽度

    16 bit

  • 组织

    1 M x 16

  • 封装/箱体

    SOJ-42

  • 存储容量

    16 MB

  • 访问时间

    50 ns

  • 电源电压-最大

    7 V

  • 电源电压-最小

    - 1 V

  • 最大工作电流

    90 mA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 封装

    Tube

IS43DR16640B-25EBLI-TR供应商更多...

更新时间：2025-8-13 9:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市威尔健半导体有限公司
IS43DR16640B-3DBI
ISSI
23+
BGA
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
深圳市星宇佳科技有限公司
IS43DR16640B-3DBI
ISSI
2014
BGA
849
原装现货支持BOM配单服务
询价
深圳市创新迹电子有限公司
IS43DR16640B-25EBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solu
23+
84-TWBGA8x12.5
7300
专注配单,只做原装进口现货
询价
深圳市河锋鑫科技有限公司
IS43DR16640B3DBI
ISSI Integrated Silicon Soluti
22+
84TWBGA (8x12.5)
9000
原厂渠道,现货配单
询价
深圳市芯为科技有限公司
IS43DR16640B-25EBLI-TR
ISSI
25+
电联咨询
7800
公司现货,提供拆样技术支持
询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
IS43DR16640B-3DBI
ISSI
23+
BGA
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
IS43DR16640B-25EBLI-TR
ISSI Integrated Silicon Solut
25+
84-TFBGA
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
瀚佳科技(深圳)有限公司
IS43DR16640B-25EBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solut
24+
84-TWBGA(8x12.5)
56200
一级代理/放心采购
询价
深圳市宇创芯科技有限公司
IS43DR16640B-3DBI
ISSI
24+
BGA
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
询价
深圳市斌腾达科技有限公司
IS43DR16640B-25EBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solut
21+
8-VFBGA
5280
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营
询价

IS43DR16640B-25EBLI-TR芯片相关品牌

IS43DR16640B-25EBLI-TR规格书下载地址

IS43DR16640B-25EBLI-TR参数引脚图相关

IS43DR16640B-25EBLI-TR数据表相关新闻

DdatasheetPDF页码索引

新数据|IC资料索引|IC关键词|IC库存|IC中文资料|关于我们|联系我们

Copyright © 2003-2025 www.114ic.cn All Rights Reserved 网站备案: 粤ICP备05011613号 粤公网安备 44030402000933号

声明：本站所有资料均来自互联网及网友提供，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权请联系QQ：303638005，本站马上更正

字母索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

深圳市市场监督管理局企业主体身份公示