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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IS42VM32160E-6BLI | 4M x 32Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM 文件：885.22 Kbytes Page：33 Pages | ISSI 矽成半导体 |   | |
IS42VM32160E-6BLI | 封装/外壳：90-TFBGA 包装：托盘 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA 集成电路（IC） 存储器 | ETC 知名厂家 | ETC | |
IS42VM32160E-6BLI | 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 Mobile SDR | ISSI 矽成半导体 | | |
封装/外壳：90-TFBGA 包装：托盘 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA 集成电路（IC） 存储器 | ETC 知名厂家 | ETC | |
更新时间：2025-11-3 23:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美国芯成) |
24+ |
TFBGA90(8x13) |
7350 |
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ISSI, Integrated Silicon Solut |
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ISSI(美国芯成) |
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TFBGA-90(8x13) |
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ISSI, Integrated Silicon Solu |
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90-TFBGA8x13 |
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ISSI Integrated Silicon Solut |
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ISSI Integrated Silicon Soluti |
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