型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IS42S32800B-6B

2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

文件:927.15 Kbytes Page:62 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42S32800B-6B

封装/外壳:90-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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矽成半导体

封装/外壳:90-TFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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矽成半导体

2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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2M Words x 32 Bits x 4 Banks (256-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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矽成半导体

IS42S32800B-6B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS42S32800B-6B

  • 功能描述

    动态随机存取存储器 256M 8Mx32 166Mhz

  • RoHS

  • 制造商

    ISSI

  • 数据总线宽度

    16 bit

  • 组织

    1 M x 16

  • 封装/箱体

    SOJ-42

  • 存储容量

    16 MB

  • 访问时间

    50 ns

  • 电源电压-最大

    7 V

  • 电源电压-最小

    - 1 V

  • 最大工作电流

    90 mA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-31 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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