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IS41LV16100B-60KI

1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

DESCRIPTION TheISSIIS41LV16100B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word

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北京矽成

1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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IS41LV16100B-60KI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS41LV16100B-60KI

  • 功能描述

    动态随机存取存储器 16M 1Mx16 60ns

  • RoHS

  • 制造商

    ISSI

  • 数据总线宽度

    16 bit

  • 组织

    1 M x 16

  • 封装/箱体

    SOJ-42

  • 存储容量

    16 MB

  • 访问时间

    50 ns

  • 电源电压-最大

    7 V

  • 电源电压-最小

    - 1 V

  • 最大工作电流

    90 mA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-8 17:13:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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