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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IS41LV16100B-50TL | 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION TheISSIIS41LV16100B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word | ISSI 北京矽成 |   | |
IS41LV16100B-50TL | 封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II 集成电路（IC） 存储器 | ETC 知名厂家 | ETC | |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION TheISSIIS41LV16100B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word | ISSI 北京矽成 | | ||
封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II 集成电路（IC） 存储器 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE 文件：145.13 Kbytes Page：22 Pages | ISSI 北京矽成 | | ||
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IS41LV16100B-50TL产品属性
- 类型
描述
- 型号
IS41LV16100B-50TL
- 功能描述
动态随机存取存储器 16M 1Mx16 50ns
- RoHS
否
- 制造商
ISSI
- 数据总线宽度
16 bit
- 组织
1 M x 16
- 封装/箱体
SOJ-42
- 存储容量
16 MB
- 访问时间
50 ns
- 电源电压-最大
7 V
- 电源电压-最小
- 1 V
- 最大工作电流
90 mA
- 最大工作温度
+ 85 C
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
22+ |
TSSOP |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
ISSI |
24+ |
SSOP |
13500 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
ISSI |
21+ |
TSOP44 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
ISSI, Integrated Silicon Solut |
24+ |
44-TSOP II |
56200 |
一级代理/放心采购 |
|||
22+ |
5000 |
||||||
ISSI |
23+ |
SSOP |
98900 |
原厂原装正品现货!! |
|||
ISSI |
1923+ |
TSOP44 |
12900 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
|||
ISSI |
23+ |
TSOP44 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ISSI |
2223+ |
TSOP44 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
|||
SST |
1738+ |
TSOP44 |
8529 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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