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ISSC
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ISSCIntegrated System Solution Corp

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ISSI
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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

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Silicon Standard Corp.

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QFN

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Silicon Supplies

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Silicon Supplies

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SS

ISSI
QFN

SSISSI Technologies Inc

SSISSI Technologies Inc

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SSI
更新时间:2024-6-4 22:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSC
2020+
QFN
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
ISSC
1942+
QFN
9852
只做原装正品现货或订货!假一赔十!
ISSC
2048+
QFN
9852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
INTEGRATED
23+
QFN
15000
全新原装现货,价格优势
ISSC
22+23+
QFN
14392
绝对原装正品全新进口深圳现货
ISSC
QFN
68900
原包原标签100%进口原装常备现货!
ISSI
22+
QFN
8000
原装正品支持实单
ISSC
23+
NA/
6153
原装现货,当天可交货,原型号开票
创杰
2020+
QFN
342
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
ISSC
19+
QFN
20000

IS1610N-022芯片相关品牌

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IS1610N-022数据表相关新闻

  • IS15BAFP4CF

    IS15BAFP4CF

    2022-9-26
  • IS181GB

    IS181GB

    2021-12-29
  • IS-1009RH-抗辐射2.5V基准

    抗辐射2.5V基准天星*功率辐射硬化的IS-1009RH是一个2.5V分流稳压二极管旨在提供一个稳定的2.5V的参考在宽电流范围。该装置是为了维护稳定,在整个miitary温度范围和时间的推移。0.2%参考宽容是通过片上微调。终端是提供一个调整,以便校准系统错误。这个终端来调整参考电压不影响温度系数。与Intersil的人工介质隔离EBHF过程中,这些设备是免疫的单事件闭锁并经过特别设计,提供高性能可靠,在恶劣的辐射环境。准货币负债的抗辐射控制设备规格由哥伦布(DSCC)国防供应中心。该这里列出的贴片数字时必须使用的顺序。这些设备的详细电气规范载于贴片5962-00523。

    2013-3-23
  • IS-2100ARH-抗辐射高频半桥驱动

    抗辐射高频半桥驱动辐射硬化的IS-2100ARH是一种高频率,130V半桥式N通道MOSFET驱动器IC,这是功能上类似于行业标准2110种。该lowside高边栅极驱动器可以独立控制。这使得在死时用户最大的灵活性选择和驱动程序的协议。此外,该器件具有片上错误检测和校正电路,可监控的高端的状态闩锁并比较它的显信号。如果他们不同意,一设置或复位脉冲生成正确的高侧闩锁。此功能保护高端单粒子锁定冷门(特修斯)。特点•电甄别,以DSCC贴片#5962-99536•QML第合格的每符合MIL-PRF

    2013-3-1
  • IS-1715ARH-抗辐射互补开关FET驱动器

    抗辐射互补开关FET驱动器辐射硬化的IS-1715ARH是一种高速,高当前互补功率FET设计中使用的驱动程序同步整流电路。软开关转换两个输出波形可通过设置管理独立的可编程延迟。延迟引脚可以通过配置零电压传感,让精确的开关控制。的IS-1715ARH有一个输入,这是PWM和TTL兼容,并能运行频率高达1MHz。该辅助输出开关立即在上升沿输入,但之前等待响应延迟为T2的下降沿。一个逻辑低使能引脚(ENBL)的地方俱进低有效输出模式,并根据电压的锁定(UVLO)功能功能设定在9伏(最大)。与Intersil的人工介质隔离抗辐射硅栅(体操)过程中,这些设备是免疫单粒子闭锁(SE

    2013-3-1
  • IS0-705RH-Q-抗辐射Power-Up/Down微处理器复位电路

    硬化IS-705RH的辐射在一个单片器件,监视使用的电源电压卫星控制单元,并提供了一​​个在上电和掉电复位输出脉冲。“复位阈值是4.65V(典型值)和复位脉冲宽度设置在200毫秒(典型值)。看门狗电路是纳入方便接口与微处理器和控制器。如果看门狗输入尚未在预设切换为1.6s(典型值)的时间内,产生一个输出信号,可以用来为一个中断。幂函数输入(PFI)可以用来监视其他电压等级。电路中有一个1.25V(典型值)的门槛,提供了一个PFO输出低时电压检测。低电平有效的手动复位输入提供复位功能的直接控制。构筑与Intersil的UHF2X-CMOS工艺,这些

    2012-11-20