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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRLR3303PBF | HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well | IRF |   | |
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Floor socket: 3303E 文件：272.42 Kbytes Page：1 Pages | BURLAND | |
IRLR3303PBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRLR3303PBF
- 功能描述
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 17.3nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
300 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
IR |
24+ |
TO-252 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
IR |
24+ |
D-pak |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
|||
IR |
2450+ |
TO-252 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
IR |
10+ |
TO-252 |
148 |
||||
IR |
25+ |
TO-252 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
IR |
25+23+ |
TO-252 |
28976 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
IR |
22+ |
D-pak |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
IR |
23+ |
TO-252 |
66600 |
专业芯片配单原装正品假一罚十 |
|||
IR |
24+ |
SOT252 |
150000 |
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IRLR3303PBF规格书下载地址
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2020-12-25
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