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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Advanced Process Technology Description Fifth Generation HEXFETs from international Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast swiching speed and urggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides | IRF |   | ||
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(QzROM version) Standard Characteristics 文件：244.39 Kbytes Page：11 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
IRL3803STRR产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRL3803STRR
- 功能描述
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
17+ |
TO-263 |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
INFINEON |
24+ |
con |
10 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
|||
Infineon/英飞凌 |
2025+ |
D2PAK |
8000 |
||||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
D2PAK |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
|||
IR |
2406+ |
TO263 |
8650 |
诚信经营!进口原装!量大价优! |
|||
IR |
TO263 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
D2PAK |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
|||
- |
23+ |
NA |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
IR |
2023+ |
TO-263 |
50000 |
原装现货 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
5715 |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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2019-5-8
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