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IRL3705Z价格

参考价格：￥7.2474

型号：IRL3705ZLPBF 品牌：International 备注：这里有IRL3705Z多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRL3705Z批发/采购报价，IRL3705Z行情走势销售排行榜，IRL3705Z报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRL3705Z

AUTOMOTIVE MOSFET

VDSS = 55V RDS(on) = 8.0mΩ ID = 75A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction oper

IRF

IRL3705Z

N-Channel MOSFET Transistor

文件：338.96 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRL3705ZL

AUTOMOTIVE MOSFET

VDSS = 55V RDS(on) = 8.0mΩ ID = 75A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction oper

IRF

IRL3705ZLPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

VDSS = 55V RDS(on) = 8.0mΩ ID = 75A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction oper

IRF

IRL3705ZPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

VDSS = 55V RDS(on) = 8.0mΩ ID = 75A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction oper

IRF

IRL3705ZS

AUTOMOTIVE MOSFET

VDSS = 55V RDS(on) = 8.0mΩ ID = 75A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction oper

IRF

IRL3705ZSPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

VDSS = 55V RDS(on) = 8.0mΩ ID = 75A Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction oper

IRF

IRL3705ZPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：382.97 Kbytes Page：12 Pages

IRF

IRL3705ZPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：382.97 Kbytes Page：12 Pages

IRF

IRL3705ZS

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：299.88 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3705

ROTARY MOTION | PRECISION SENSOR

Features • Bushing Mount / Sleeve Bearing • 7/8” to 1-3/4” Diameter Bushing Mount • Wirewound 3, 5 and 10-Turn Precision Potentiometers

Sensata

森萨塔

3705-BA

NEMA STEEL METAL BOX

文件：160.66 Kbytes Page：2 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

3705-CA

NEMA STEEL METAL BOX

文件：160.66 Kbytes Page：2 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

ACAR3705-SB

LPWA/ Sub-GHz Cellular Ceramic Chip Antenna

文件：1.41966 Mbytes Page：11 Pages

ABRACON

ACAR3705-SB-EVB

LPWA/ Sub-GHz Cellular Ceramic Chip Antenna Evaluation Board

文件：1.01662 Mbytes Page：4 Pages

ABRACON

IRL3705Z产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRL3705Z

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRL3705Z供应商更多...

更新时间：2025-8-17 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
IRL3705ZSTRRPBF
IR
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NA/
4050
原装现货,当天可交货,原型号开票
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深圳市凌旭科技有限公司
IRL3705ZPBF
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深圳市富利微电子科技有限公司
IRL3705ZPBF功率三极管
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IRL3705ZSTRLPBF
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IRL3705ZSTRLPBF
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深圳市科芯源微电子有限公司
IRL3705ZPBF
INFINEON/英飞凌
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