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位置：首页 > IC中文资料第3683页 > IRL2910L

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRL2910L

HEXFET POWER MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRL2910L

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：300.69 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2910

875 MHz Center Frequency

文件：44.44 Kbytes Page：2 Pages

KR

2910

Tiny OTG Adapter - USB Micro to USB

文件：253.58 Kbytes Page：3 Pages

Adafruit

2910

10 MHz BIPOLAR LOGARITHMIC AMPLIFIER

文件：399.66 Kbytes Page：6 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

2910N

130A竊?00V N-CHANNEL MOSFET

文件：286.95 Kbytes Page：6 Pages

KIA

可易亚半导体

AK2910

Zero Drift operational amplifiers

文件：385.3 Kbytes Page：15 Pages

AKM

旭化成微电子

IRL2910L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRL2910L

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 100V 55A TO-262

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRL2910L供应商更多...

更新时间：2025-9-25 12:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市亿智腾科技有限公司
IRL2910L
Infineon Technologies
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IRL2910L
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