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IRL2910价格

参考价格：￥12.6636

型号：IRL2910HR 品牌：International Rectifier 备注：这里有IRL2910多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRL2910批发/采购报价，IRL2910行情走势销售排行榜，IRL2910报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRL2910

HEXFET Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRL2910

N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • reliable device for use in a wide variety of applications • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.026Ω • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

ISC

无锡固电

IRL2910L

HEXFET POWER MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRL2910PBF

HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.026廓 , ID = 55A )

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRL2910S

HEXFET POWER MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRL2910S

Isc N-Channel MOSFET Transistor

• FEATURES • With To-263(D2PAK) package • Low input capacitance and gate charge • Low gate input resistance • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • Switching applications

ISC

无锡固电

IRL2910SPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRL2910L

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：300.69 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRL2910PBF

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件：981.62 Kbytes Page：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRL2910PBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：1.54679 Mbytes Page：9 Pages

IRF

IRL2910PBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：1.54679 Mbytes Page：9 Pages

IRF

IRL2910SPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：690.5 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRL2910SPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：690.5 Kbytes Page：11 Pages

IRF

2910

875 MHz Center Frequency

文件：44.44 Kbytes Page：2 Pages

KR

KR Electronics, Inc.

2910

10 MHz BIPOLAR LOGARITHMIC AMPLIFIER

文件：399.66 Kbytes Page：6 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

2910N

130A竊?00V N-CHANNEL MOSFET

文件：286.95 Kbytes Page：6 Pages

KIA

可易亚半导体

AK2910

Zero Drift operational amplifiers

文件：385.3 Kbytes Page：15 Pages

AKM

旭化成微电子

AK2910T

Zero Drift operational amplifiers

文件：385.3 Kbytes Page：15 Pages

AKM

旭化成微电子

IRL2910产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRL2910

  • 制造商

    International Rectifier

  • 功能描述

    MOSFET N LOGIC TO-220

IRL2910供应商更多...

更新时间：2025-8-9 22:30:00
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