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IRGS4B60KD1	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerform	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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IRGS4B60KD1TRR产品属性

类型
描述
型号
IRGS4B60KD1TRR
功能描述
IGBT 晶体管 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBT
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压
VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V 在25
C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
封装/箱体
TO-247
封装
Tube

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更新时间：2024-5-16 15:40:02

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IRL1004STRRPBF公司大量原装正品现货/长期供应
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