IRGS4B60KD1PB价格

参考价格:¥8.4803

型号:IRGS4B60KD1PBF 品牌:IR 备注:这里有IRGS4B60KD1PB多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRGS4B60KD1PB批发/采购报价,IRGS4B60KD1PB行情走势销售排行榜,IRGS4B60KD1PB报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerform

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Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerform

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Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •MaximumJunctionTemperatureratedat175°C. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerform

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IRGS4B60KD1PB产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGS4B60KD1PB

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-16 11:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
21+
TO-263
30490
原装现货库存
IR/VISHAY
23+
TO-263
6000
原装正品,支持实单
英飞凌
新批次
N/A
1500
23+
N/A
90650
正品授权货源可靠
IR
23+
NA/
3580
原装现货,当天可交货,原型号开票
Infineon(英飞凌)
23+
TO-263
1471
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
IR
2046+
9852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
IR/VISHAY
23+
TO-263
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
INFINEON
23/22+
TO263
2000
全线可订货.含税开票
IR
23+
D2-Pak
7600
全新原装现货

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