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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

VCES=1200V VCE(on)typ.=2.28V VGE=15V,IC=25A,25°C INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThrough(NPT)Technology •LowDiodeVF(1.76VTypical@25A&25°C) •10µsShortCircuitCapability

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International Rectifier

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •LowVCE(on)NonPunchThrough(NPT)Technology •LowDiodeVF(1.76VTypical@25A&25°C) •10μsShortCircuitCapability •SquareRBSOA •UltrasoftDiodeRecoveryCharacteristics •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient •ExtendedLeadTO-247ADPackage •Lead-Free Bene

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International Rectifier

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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PowerSchottkyRectifier-30Amp120Volt

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SIRECTSirectifier Global Corp.

矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司

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PowerSchottkyRectifier-30Amp120Volt

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SIRECTSirectifier Global Corp.

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更新时间:2024-10-31 22:30:01
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