型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRGP4062D-EPBF

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 48A 250W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •LowVCE(on)TrenchIGBTTechnology •LowSwitchingLosses •5µsSCSOA •SquareRBSOA •100ofThePartsTestedforILM① •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •UltraFastSoftRecoveryCo-pakDiode •TighterDistributionofParameters •Lead-Free,RoHSCompliant •Aut

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

Clip-onWeldingShieldKit7990/7990-AMandElectronicLensAssembly7991/7991-AM

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3MMinnesota Mining and Manufacturing

明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司

3M

DualChannelFunction/ArbitraryWaveformGenerators

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BKB&K Precision Corporation

B & k B & k 精密机械有限公司

BK

STM32F0DISCOVERYperipheralfirmwareexamples

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

IRGP4062D-EPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGP4062D-EPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 5uS 24A 1.65 VCE

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-14 9:29:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR/International Rectifier/国
21+
TO-247
323
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
IR
19+
TO-247
75156
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂;
IR
2020+
TO-247
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
IR
TO-247
12500
16
只做原装进口IOR-TI-ST,可以送样品
IR
23+
TO-247AC
8600
全新原装现货
IR
TO-247
6000
原装现货,长期供应,终端可账期
IR
22+
TO-247
32350
原装正品 假一罚十 公司现货
Infineon Technologies
22+/23+
TO-247AD
7500
原装进口公司现货假一赔百
IR
2015+
TO-247AC
12500
全新原装,现货库存长期供应
ir
dc15
原厂封装
125
INSTOCK:25/tube/to

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