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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
IRGB30B60K	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low	IRF	IRF
AOK30B60D	TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION 文件：108.48 Kbytes Page：1 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOK30B60DL	TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION 文件：108.48 Kbytes Page：1 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AUIRGS30B60K	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：310.77 Kbytes Page：15 Pages	IRF	IRF
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IRGB30B60U供应商更多...

更新时间：2025-11-6 10:39:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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IRGP4266D-EPBF
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2023-12-11
IRG4PC40KPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-23
IRG4PC50WPBF
属性参数值商品目录 IGBT管集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27
IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
2020-7-17
IRKD7104，IRKD71-04，IRKD71-06，IRKD71-08，IRKD71-16，IRKD91-04
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2020-1-12
IRL1004STRRPBF公司大量原装正品现货/长期供应
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2019-5-8