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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low | IRF |   | ||
TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION 文件：108.48 Kbytes Page：1 Pages | AOSMD 万国半导体 | | ||
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：310.77 Kbytes Page：15 Pages | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：310.77 Kbytes Page：15 Pages | IRF | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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IR |
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NA |
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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NA |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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Infineon Technologies |
25+ |
TO-220-3 |
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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Infineon Technologies |
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原装 |
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原装正品,提供BOM配单服务 |
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INFINEON TECHNOLOGIES AG |
25+ |
SMD |
918000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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INFINEON |
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TO-220 |
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原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
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IR |
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65230 |
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IR |
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华富芯深圳智能 科技有限公司
2021-11-23IRG4PC50WPBF
属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
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2019-5-8
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