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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 | 
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low  | IRF  | |||
TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION 文件:108.48 Kbytes Page:1 Pages  | AOSMD 万国半导体  | |||
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件:310.77 Kbytes Page:15 Pages  | IRF  | |||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件:310.77 Kbytes Page:15 Pages  | IRF  | 
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR  | 
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华富芯深圳智能 科技有限公司
2021-11-23IRG4PC50WPBF
属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流(Ic)(最大值) 55A 集射极击穿电压(最大值) 600V 类型 - 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.3V @ 15V,27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中,焕盛达-专注原装 用芯服务;
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2019-5-8
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