IRG7PH42UPBF价格

参考价格:¥31.3557

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG7PH42UPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Low VCE (ON) trench IGBT technology • Low switching losses • Maximum junction temperature 175 °C • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM • Positive VCE (ON) temperature co-efficient • Tight parameter distribution • Lead -Free Benefits • High efficiency in a wide range

IRF

IRG7PH42UPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG7PH42UPBF

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 90A 385W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Low VCE (ON) trench IGBT technology • Low switching losses • Maximum junction temperature 175 °C • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM • Positive VCE (ON) temperature co-efficient • Tight parameter distribution • Lead -Free Benefits • High efficiency in a wide range

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG7PH42UPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG7PH42UPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V 90A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-3 16:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO-247
47186
郑重承诺只做原装进口现货
Infineon
24+
NA
3635
进口原装正品优势供应
IR
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
24+
N/A
64000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
IR
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货
Infineon Technologies
22+
TO247AC
9000
原厂渠道,现货配单
IR
21+
TO-247
10000
原装现货假一罚十
International Rectifier
2022+
1
全新原装 货期两周
INFINEON/英飞凌
23+
TO-247
89630
当天发货全新原装现货

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