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IRG7PH35UD-EP	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (ON) trench IGBT technology • Low switching losses • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM ① • Positive VCE (ON) temperature co-efficient • Ultra fast soft recovery co-pak diode • Tight parameter distribution • Lead-Free Benefits • High efficiency in a wide ra	IRF	IRF
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IRG7PH35U-EP	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (ON) trench IGBT technology • Low switching losses • Maximum junction temperature 175 °C • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM • Positive VCE (ON) temperature co-efficient • Tight parameter distribution • Lead -Free Benefits • High efficiency in a wide range	IRF	IRF
IRG7PH35UDPBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：466.59 Kbytes Page：11 Pages	IRF	IRF
IRG7PH35UPBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：379.97 Kbytes Page：10 Pages	IRF	IRF

IRG7PH35UEP供应商更多...

更新时间：2025-11-4 23:00:01

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IRGP4266D-EPBF
IRGP4266D-EPBF
2023-12-11
IRFZ44NSTRLPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-24
IRG4PC40KPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-23
IRG4PC50WPBF
属性参数值商品目录 IGBT管集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27
IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
2020-7-17
IRKD7104，IRKD71-04，IRKD71-06，IRKD71-08，IRKD71-16，IRKD91-04
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2020-1-12