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IRG7PH28UD1MPBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE Features ● Low VCE (ON) trench IGBT technology ● Low switching losses ● Square RBSOA ● Ultra-low VF diode ● 1300Vpk repetitive transient capacity ● 100 of the parts tested for ILM ● Positive VCE (ON) temperature co-efficient ● Tight parameter distribution ● Lead-free package Benefits ●	IRF	IRF
IRG7PH28UD1MPBF	封装/外壳：TO-247-3 包装：散装描述：IGBT 1200V 30A 115W TO247AC 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	Infineon 英飞凌	Infineon
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IRG7PH28UD1PBF	Low switching losses 文件：398.08 Kbytes Page：10 Pages	IRF	IRF

IRG7PH28UD1M供应商更多...

更新时间：2025-11-6 18:58:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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IRGP4266D-EPBF
IRGP4266D-EPBF
2023-12-11
IRFZ44NSTRLPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-24
IRG4PC40KPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-23
IRG4PC50WPBF
属性参数值商品目录 IGBT管集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27
IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
2020-7-17
IRKD7104，IRKD71-04，IRKD71-06，IRKD71-08，IRKD71-16，IRKD91-04
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2020-1-12