IRG4PH40UD-EPBF价格

参考价格:¥25.5679

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4PH40UD-EPBF

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 1200V 41A 160W TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.74V, @Vge=15V, Ic=15A)

Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous g

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.47V, @Vge=15V, Ic=15A)

Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packaged with HE

IRF

Fit Rate / Equivalent Device Hours

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IRF

Fit Rate / Equivalent Device Hours

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IRF

SINGLE-PHASE FULL WAVE BRIDGE 4 AMPERES FOR P.C. BOARD AND HEAT SINK MOUNTING

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edi

IRG4PH40UD-EPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4PH40UD-EPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-19 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
17138
原装现货,当天可交货,原型号开票
IR
2019
TO-247
1138
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
INFINEON/英飞凌
22+
TO-247
100000
代理渠道/只做原装/可含税
IR
23+
TO-247
4500
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售!
INFINEON/英飞凌
2023+
TO-247
6895
原厂全新正品旗舰店优势现货
IR
24+
65230
IR
25+
TO-247
9600
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
INFINEON/英飞凌
2022+
TO-247AC
8000
只做原装支持实单,有单必成。
IR
2015+
TO-247
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一级代理原装现货,特价热卖!
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货

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