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位置：首页 > IC中文资料第996页 > IRG4PH40KPBF

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRG4PH40KPBF

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT

Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious g

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRG4PH40KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

文件：536.29 Kbytes Page：9 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRG4PH40KPBF

封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 1200V 30A 160W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IRG4PH40KPBF_15

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

文件：536.29 Kbytes Page：9 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRG4PH40K

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.74V,@Vge=15V,Ic=15A)

Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious g

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRG4PH40KD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.47V,@Vge=15V,Ic=15A)

Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedwithHE

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRG4PH40FD

FitRate/EquivalentDeviceHours

文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRG4PH40KD

FitRate/EquivalentDeviceHours

文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
4PH40

SINGLE-PHASEFULLWAVEBRIDGE4AMPERESFORP.C.BOARDANDHEATSINKMOUNTING

文件：40.59 Kbytes Page：2 Pages

edi

edi

edi

IRG4PH40KPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4PH40KPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IRG4PH40KPBF供应商更多...

更新时间：2024-5-22 8:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
京海半导体(深圳)有限公司
IRG4PH40KPBF
現貨IR
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IRG4PH40MD2
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IRG4PH40KPBF
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