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IRG4PF50W价格

参考价格：￥19.9216

型号：IRG4PF50WDPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRG4PF50W多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4PF50W批发/采购报价，IRG4PF50W行情走势销售排行榜，IRG4PF50W报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4PF50W

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

VCES = 900V VCE(on) typ. = 2.25V @VGE = 15V, IC = 28A Benefits • Lower switching losses allow more cost-effective operation and hence efficient replacement of larger die MOSFETs up to 100kHz • Of particular benefit in single-ended converters and Power Supplies 150W and higher •

IRF

IRG4PF50W

IGBT

DESCRIPTION · Low Gate Drive Requirement · High Current Handling Capability · Short Circuit Capability · High Power Density APPLICATIONS · Power Inverters · Motor Drives · UPS,PFC · High Voltage Auxiliaries

ISC

无锡固电

IRG4PF50W

900V Warp 20-100 kHz 分立 IGBT，采用 TO-247AC 封装

INFINEON

英飞凌

IRG4PF50WD

900V Warp 20-100 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package

900V IGBT 与20-100 kHz 超快、超软恢复反并联二极管联合封装到 TO-247AC 封装中。 • 经过优化，适合在焊接和开关模式电源应用中使用\n• 行业基准开关损耗，提高所有电源拓扑结构的效率\n• 令关断损耗(Eoff)参数值降低 50%\n• 低 IGBT 通态损耗\n• IGBT 的设计提供更紧凑的参数分布，具有优秀的可靠性\n• 与 HEXFREDTM 联合封装的 IGBT，在桥配置中使用\n• 行业标准 TO-247AC 封装\n• 无铅\n\n优势:\n• 开关损耗更低意味着工作性价比的提升，可以替代功率高达 100kHz的大模 MOSFET\n• HEXFREDTM 二极管经过与 IGBT 并用优化，将噪声、EMI 和开关损耗降至最低;

INFINEON

英飞凌

IRG4PF50WD

IGBT

DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(on) max= 2.7V@IC= 28A · Low Switching Losses · Exceptional Reliability APPLICATIONS · Switch-Mode Power Supply (SMPS) · Bridge Configurations · UPS,PFC

ISC

无锡固电

IRG4PF50WD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES = 900V VCE(on) typ. = 2.25V @VGE = 15V, IC = 28A Features • Optimized for use in Welding and Switch-Mode Power Supply applications • Industry benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduct

IRF

IRG4PF50WDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES = 900V VCE(on) typ. = 2.25V @VGE = 15V, IC = 28A Features • Optimized for use in Welding and Switch-Mode Power Supply applications • Industry benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduct

IRF

IRG4PF50WPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

VCES = 900V VCE(on) typ. = 2.25V @VGE = 15V, IC = 28A Benefits • Lower switching losses allow more cost-effective operation and hence efficient replacement of larger die MOSFETs up to 100kHz • Of particular benefit in single-ended converters and Power Supplies 150W and higher • Reduction in

IRF

IRG4PF50WDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：637.39 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRG4PF50WDPBF

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 900V 51A 200W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

INFINEON

英飞凌

IRG4PF50WDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：637.39 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRG4PF50WPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：654.43 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRG4PF50WPBF

封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 900V 51A 200W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

INFINEON

英飞凌

IRG4PF50WPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：654.43 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRG4PF50W产品属性

  • 类型

    描述

  • Technology ：

    IGBT Gen 4

  • Switching Frequency min max：

    8.0kHz 30.0kHz

  • Package ：

    TO-247

  • Voltage Class max：

    900.0V

  • IC(@100°) max：

    28.0A

  • IC(@25°) max：

    51.0A

  • ICpuls max：

    300.0A

  • Ptot max：

    200.0W

  • VCE(sat) ：

    2.25V 

  • Eon ：

    0.19mJ 

  • Eoff(Hard Switching) ：

    1.06mJ 

  • td(on) ：

    36.0ns 

  • tr ：

    42.0ns 

  • td(off) ：

    300.0ns 

  • tf ：

    160.0ns 

  • QGate ：

    28.0nC 

  • Ets  (max)：

    1.25mJ (1.7mJ)

  • Switching Frequency ：

    Gen 4 8-30 kHz

  • VCE max：

    900.0V

IRG4PF50W供应商更多...

更新时间：2026-7-22 19:21:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
IRG4PF50WPBF
INFINEON/英飞凌
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