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IRG4PC50FD-EPB价格
参考价格：￥27.8063
型号：IRG4PC50FD-EPBF 品牌：International 备注：这里有IRG4PC50FD-EPB多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4PC50FD-EPB批发/采购报价，IRG4PC50FD-EPB行情走势销售排行榜，IRG4PC50FD-EPB报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE 文件：763.7 Kbytes Page：11 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   | |
封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 70A 200W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.45V,@Vge=15V,Ic=39A) VCES=600V VCE(on)typ.=1.45V @VGE=15V,IC=39A Features •Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •Industrystandard | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.45V,@Vge=15V,Ic=39A) VCES=600V VCE(on)typ.=1.45V @VGE=15V,IC=39A Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packa | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.65V,@Vge=15V,Ic=27A) VCES=600V VCE(on)typ.=1.65V @VGE=15V,IC=27A Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •Industrystan | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.65V,@Vge=15V,Ic=27A) VCES=600V VCE(on)typ.=1.65V @VGE=15V,IC=27A Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-pack | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)max.=2.30V,@Vge=15V,Ic=27A) Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC (powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesign | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IRG4PC50FD-EPB产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4PC50FD-EPB
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V FAST 1-8 KHZ COPACK IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-247 |
66000 |
只做原装正品现货 |
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INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
TO-247AC |
8000 |
只做原装支持实单,有单必成。 |
|||
ir |
dc11+ |
原厂封装 |
218 |
INSTOCK:25/tube |
|||
Infineon |
1931+ |
N/A |
557 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
|||
IR/INTERSIL |
23+/24+ |
TO-247 |
9865 |
主营IR//英飞凌.终端BOM表可配单 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-247 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
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IR |
22+ |
TO-247 |
5623 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-247 |
6000 |
原装正品 |
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Infineon |
22+ |
NA |
557 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
|||
Infineon |
18+ |
NA |
3191 |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
IRG4PC50FD-EPB芯片相关品牌
IRG4PC50FD-EPB规格书下载地址
IRG4PC50FD-EPB参数引脚图相关
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2023-12-11IRFZ44NSTRLPBF 原装正品.仓库现货
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2021-8-10IRG4PC50WPBF
属性参数值 商品目录IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值）55A 集射极击穿电压（最大值）600V 类型- 不同Vge，Ic时的Vce（on）2.3V@15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th)6V@250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
2020-7-17
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