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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.32V,@Vge=15V,Ic=31A) StandardSpeedIGBT Features •Standard:Optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies( | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.1.72V,@Vge=15V,Ic=20A) Benefits •Generation4IGBTsofferhighestefficiencyavailable •IGBTsoptimizedforspecifiedapplicationconditions •Designedtobeadrop-inreplacementforequivalent industry-standardGeneration3IRIGBTs Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHz | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.05V,@Vge=15V,Ic=20A) Benefits •Lowerswitchinglossesallowmorecost-effective operationthanpowerMOSFETsupto150kHz (hardswitchedmode) •Ofparticularbenefittosingle-endedconvertersand boostPFCtopologies150Wandhigher •Lowconductionlossesandminimalminority-carrier recombinat | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
InsulatedGateBipolarTransistor 文件：395.49 Kbytes Page：10 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
InsulatedGateBipolarTransistor 文件：1.2552 Mbytes Page：9 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
X-MOS |
23+ |
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IR |
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TO-23P |
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原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
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INFINEON-英飞凌 |
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IR英飞凌VISHAY专做 全新原装进口正品假一赔百,可开13 |
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INFINEON/英飞凌 |
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Infineon |
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IR |
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原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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2021-8-10IRG4PC50WPBF
属性参数值 商品目录IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值）55A 集射极击穿电压（最大值）600V 类型- 不同Vge，Ic时的Vce（on）2.3V@15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th)6V@250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
2020-7-17
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