型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4IBC10UD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

IRG4IBC10UD

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IRG4IBC10UD

600V UltraFast 8-60 kHz Copack IGBT in a TO-220 FullPak package

Infineon

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast Co-Pack IGBT

Features ● UltraFast: Optimized for high operating up to 80 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode ● Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation ● IGBT co-packaged with HEXFRED® ultrafast, ultra-s

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

IRG4IBC10UD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4IBC10UD

  • 功能描述

    IGBT W/DIODE 600V 6.8A TO-220FP

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-4 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
23+
TO-220FullPak
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IR
24+
TO-220
2600
只做原厂渠道 可追溯货源
IR
2015+
TO-220F
12500
全新原装,现货库存长期供应
IR
23+
TO-220
12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
Infineon(英飞凌)
2447
FULLPAK220COPAK
115000
2000个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长
IR
1923+
TO2
5000
正品原装品质假一赔十
IR
23+
TO-220F
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
24+
TO-220F
11760
Infineon Technologies
22+
TO220AB FullPak
9000
原厂渠道,现货配单

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