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IRG4CC50WB | IGBT Die in Wafer Form 600 V Size 5 WARP Speed 文件：35.62 Kbytes Page：1 Pages | Hittite |   | |
IRG4CC50WB | IGBT Die in Wafer Form 600 V Size 5 WARP Speed | AD 亚德诺 | |
更新时间：2025-11-21 15:01:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
23+ |
GA-CHIPSWAFERS |
8000 |
只做原装现货 |
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IR |
23+ |
GA-CHIPSWAFERS |
7000 |
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IR |
22+ |
GA-CHIPS&WAFERS |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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