IRG4BC30W-STRLP价格

参考价格:¥9.0956

型号:IRG4BC30W-STRLP 品牌:IR 备注:这里有IRG4BC30W-STRLP多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRG4BC30W-STRLP批发/采购报价,IRG4BC30W-STRLP行情走势销售排行榜,IRG4BC30W-STRLP报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4BC30W-STRLP

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:IGBT 600V 23A 100W D2PAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IGBT

DESCRIPTION · Low VCE(ON) and Switching Losses · High Speed Switching · Low Power Loss APPLICATIONS · Welding · PFC

ISC

无锡固电

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Industry standard D2Pak & TO-262 package • Lead-Free, RoHS Compliant • Automotive Qualified * Benefits • Typical Applications: SMPS, PFC

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Industry standard D2Pak & TO-262 package • Lead-Free, RoHS Compliant • Automotive Qualified * Benefits • Typical Applications: SMPS, PFC

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

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IRG4BC30W-STRLP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC30W-STRLP

  • 功能描述

    IGBT 模块 600V 23AD2PAK

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-11-21 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
59610
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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Infineon Technologies
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TO-263-3 D?Pak(2 引线 + 接片
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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D2PAK
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
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原装正品,提供BOM配单服务

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