型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Genera

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery

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INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE

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IRG4BC20UD-STRR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC20UD-STRR

  • 功能描述

    DIODE IGBT 600V 13A COPAK D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-4 17:10:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
TO-220
159942
明嘉莱只做原装正品现货
INFINEON/英飞凌
24+
TO-220
1479
只做原厂渠道 可追溯货源
IR
24+
TO-220AB
8866
Infineon Technologies
23+
TO220AB
9000
原装正品,支持实单
IR
三年内
1983
只做原装正品
IR
2023+
TO-220AB
50000
原装现货
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
Infineon Technologies
23+
原装
7000
IR(国际整流器)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
Infineon
24+
NA
3308
进口原装正品优势供应

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