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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A)

Features •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Genera

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A)

Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistribution andhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recovery

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFRRECOVERYDIODE

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更新时间:2024-6-6 9:29:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2023+
TO-220AB
16800
芯为只有原装,公司现货
INFINEON/英飞凌
2024+实力库存
TO-220
1479
只做原厂渠道 可追溯货源
INFINEON/英飞凌
23+/24+
TO-220
9865
原装正品,专业分销IGBT管
IR
23+
TO-220AB
8600
全新原装现货
IR
TO-220
6000
原装现货,长期供应,终端可账期
IR
2022
TO-220
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
Infineon Technologies
23+
TO220AB
9000
原装正品,支持实单
IR
22+
TO-220
32350
原装正品 假一罚十 公司现货
IR
2015+
TO-220AB
12500
全新原装,现货库存长期供应
IRF
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样

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