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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFZ46NSPBF | HEXFET Power MOSFET Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, | IRF |   | |
IRFZ46NSPBF | ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：687.68 Kbytes Page：11 Pages | IRF | | |
ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：687.68 Kbytes Page：11 Pages | IRF | |
IRFZ46NSPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFZ46NSPBF
- 功能描述
MOSFET 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
381 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
IR |
2016+ |
TO-263 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
501434 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
IR |
24+ |
D2-pak |
20000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
IR |
2022+ |
D2-pak |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
||||
IR |
10+ |
D2-pak |
71 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
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Infineon Technologies |
21+ |
D2PAK |
800 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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- k2010
- jumper
- jtag接口
- jk触发器
- j111
- j108
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- IRGPH40
- IRGPH20
- IRGPC40
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属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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