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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFZ46NSPBF | HEXFET Power MOSFET Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, | IRF |   | |
IRFZ46NSPBF | ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：687.68 Kbytes Page：11 Pages | IRF | | |
ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：687.68 Kbytes Page：11 Pages | IRF | |
IRFZ46NSPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFZ46NSPBF
- 功能描述
MOSFET 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
09+ |
TO-263 |
5023 |
||||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
|||
IR |
TO-263 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IR |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
IR |
22+ |
TO-263 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
||||
IR |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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IRFZ46NSPBF规格书下载地址
IRFZ46NSPBF参数引脚图相关
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- jumper
- jtag接口
- jk触发器
- j111
- j108
- isd1420
- IRGPH50
- IRGPH40
- IRGPH20
- IRGPC40
- IRGBF30
- IRGBF20
- IRGBC40
- IRGBC30
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- IRGB420
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2021-11-24IRG4PC40KPBF 原装正品.仓库现货
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2021-11-23IRFZ44NPBF原装现货
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2021-8-10IRG4PC50WPBF
属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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