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位置：首页 > IC中文资料第3631页 > IRFZ44L

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFZ44L

Power MOSFET

FEATURES • Advanced process technology • Surface-mount (IRFZ44S, SiHFZ44S) • Low-profile through-hole (IRFZ44L, SiHFZ44L) • 175 °C operating temperature • Fast switching • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet p

VishayVishay Siliconix

威世科技

IRFZ44L

HEXFET Power MOSFET

Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ44L

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extermely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that power MOSFETs are well known for, provides the designer wit

VishayVishay Siliconix

威世科技

IRFZ44L

Power MOSFET

文件：795.61 Kbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

IRFZ44L

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技

IRFZ44L

HEXFET Power MOSFET

Infineon

英飞凌

IRFZ44LPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extermely low on resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that power MOSFETs are well known for, provides the designer wit

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文件：795.61 Kbytes Page：9 Pages

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Power MOSFET

文件：862.02 Kbytes Page：11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

IRFZ44L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFZ44L

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 60V 50A TO-262

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRFZ44L供应商更多...

更新时间：2025-10-5 11:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市勤思达科技有限公司
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