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IRFZ44E价格

参考价格：￥2.6447

型号：IRFZ44EPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRFZ44E多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFZ44E批发/采购报价，IRFZ44E行情走势销售排行榜，IRFZ44E报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFZ44E

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A)

VDSS = 60V RDS(on) = 0.023Ω ID = 48A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design tha

IRF

IRFZ44E

采用 TO-220 封装的 60V 单 N 沟道功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;

INFINEON

英飞凌

IRFZ44E

N-Channel MOSFET Transistor

文件：393.64 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRFZ44EL

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A)

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ44EL

采用 TO-262 封装的 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;

INFINEON

英飞凌

IRFZ44ELPBF

Advanced Process Technology

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ44ELPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ44EPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ44ES

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A)

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ44ES

采用 D²PAK 封装的 IR MOSFET 60 V

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;

INFINEON

英飞凌

IRFZ44ESPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ44ESPBF

Advanced Process Technology

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ44ESTRLPBF

Advanced Process Technology

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ44EL

Advanced Process Technology

文件：174.18 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFZ44EPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：156.29 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRFZ44EPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：156.29 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRFZ44ES

丝印代码：D2PAK；isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：318.38 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRFZ44ES

Advanced Process Technology

文件：174.18 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFZ44ESL

Advanced Process Technology

文件：174.18 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFZ44ESPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：239.75 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFZ44ESPBF

丝印代码：D2PAK；N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：1.36463 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRFZ44ESPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：239.75 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFZ44E产品属性

  • 类型

    描述

  • OPN：

    IRFZ44EPBF

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    TO220

  • VDS max：

    60 V

  • RDS (on) @10V max：

    23 mΩ

  • ID @25°C max：

    48 A

  • QG typ @10V：

    40 nC

  • Polarity：

    N

  • VGS(th) min：

    2 V

  • VGS(th) max：

    4 V

  • VGS(th)：

    3 V

  • Technology：

    IR MOSFET™

IRFZ44E供应商更多...

更新时间：2026-8-5 7:41:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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