IRFZ44E价格

参考价格:¥2.6447

型号:IRFZ44EPBF 品牌:INTERNATIONAL 备注:这里有IRFZ44E多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRFZ44E批发/采购报价,IRFZ44E行情走势销售排行榜,IRFZ44E报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRFZ44E

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A)

VDSS=60V RDS(on)=0.023Ω ID=48A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesigntha

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
IRFZ44E

N-Channel MOSFET Transistor

文件:393.64 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

HEXFET짰 Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

Advanced Process Technology

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

HEXFET짰 Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

HEXFET짰 Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

Advanced Process Technology

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

Advanced Process Technology

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

Advanced Process Technology

文件:174.18 Kbytes Page:11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:156.29 Kbytes Page:9 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:156.29 Kbytes Page:9 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

Advanced Process Technology

文件:174.18 Kbytes Page:11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:318.38 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

Advanced Process Technology

文件:174.18 Kbytes Page:11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.36463 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:239.75 Kbytes Page:11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:239.75 Kbytes Page:11 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

IRFZ44E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFZ44E

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2024-4-25 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
21+
D2PAK
6000
原装现货正品
IR
2020+
SOT263
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
IR/VISHAY
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
IR
23+
TO-263
6000
原装正品,支持实单
Infineon/英飞凌
21+
D2PAK
8800
公司只作原装正品
VBsemi(微碧)
24+
TO-263
5000
诚信服务,绝对原装原盘。
INFINEON/英飞凌
22+
原厂原封
4875
只做原装 提供一站式配套供货 中利达
Infineon Technologies
21+
TO2203
13880
公司只售原装,支持实单
IR
24+
TO220
880000
明嘉莱只做原装正品现货
IR
2020+
TO-220
9600
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

IRFZ44E芯片相关品牌

  • ANACHIP
  • BOTHHAND
  • EUROQUARTZ
  • Honeywell
  • MOLEX8
  • MPS
  • nichicon
  • nxp
  • POWERBOX
  • RECTRON
  • TAI-TECH
  • Winbond

IRFZ44E数据表相关新闻