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IRFZ44E价格

参考价格：￥2.6447

型号：IRFZ44EPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRFZ44E多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFZ44E批发/采购报价，IRFZ44E行情走势销售排行榜，IRFZ44E报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFZ44E

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A)

VDSS = 60V RDS(on) = 0.023Ω ID = 48A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design tha

IRF

IRFZ44E

N-Channel MOSFET Transistor

文件：393.64 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRFZ44E

采用 TO-220 封装的 60V 单 N 沟道功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

IRFZ44EL

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A)

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ44ELPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ44ELPBF

Advanced Process Technology

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ44EPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ44ES

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A)

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ44ESPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ44ESPBF

Advanced Process Technology

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ44ESTRLPBF

Advanced Process Technology

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ44EL

采用 TO-262 封装的 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

IRFZ44EL

Advanced Process Technology

文件：174.18 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFZ44EPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：156.29 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRFZ44EPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：156.29 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRFZ44ES

Advanced Process Technology

文件：174.18 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFZ44ES

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：318.38 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRFZ44ES

采用 D²PAK 封装的 IR MOSFET 60 V

Infineon

英飞凌

IRFZ44ESL

Advanced Process Technology

文件：174.18 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFZ44ESPBF

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：1.36463 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRFZ44ESPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：239.75 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFZ44ESPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：239.75 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFZ44E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFZ44E

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRFZ44E供应商更多...

更新时间：2025-11-21 9:21:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市晨豪科技有限公司
IRFZ44E
INFINEON/英飞凌
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TO-220
89630
当天发货全新原装现货
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深圳市中联芯电子有限公司
IRFZ44E
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深圳市中远芯科技有限公司
IRFZ44E
INFINEON/英飞凌
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TO-220
395
原装现货
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深圳市得捷芯城科技有限公司
IRFZ44EPBF
IR(国际整流器)
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原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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Infineon(英飞凌)
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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深圳市亿联芯电子科技有限公司
IRFZ44E
INFINEON/英飞凌
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TO-220
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原厂全新正品旗舰店优势现货
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深圳市卓越微芯电子有限公司
IRFZ44E
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TO-220
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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深圳市勤思达科技有限公司
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IRFZ44EPBF
INFINEON/IR
TO-220
50000
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