型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFZ34NL

HEXFET짰 Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ34NL

HEXFET® Power MOSFET

Infineon

英飞凌

HEXFET Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:1.23056 Mbytes Page:10 Pages

KERSEMI

IRFZ34NL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFZ34NL

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 55V 29A TO-262

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-19 12:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
IR
23+
TO-262
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
23+
TO-262-3
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
IR
24+
TO-262
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
IR
23+
TO220
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IR
2015+
TO-262
12500
全新原装,现货库存长期供应
VBsemi(台湾微碧)
2447
TO-220AB
105000
50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
IR
24+
TO-262
8866
IR/VISHAY
25+
TO-TO-220
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

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