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位置：首页 > IC中文资料第658页 > IRFZ24NL

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFZ24NL

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provi

IRF

IRFZ24NL

Power MOSFET

Power MOSFET VDSS =55V, RDS(on) = 0.07 mohm, ID = 17 A

TEL

IRFZ24NL

Advanced Process Technology

文件：169.9 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFZ24NL

Power MOSFET VDSS =55V, RDS(on) = 0.07 mohm, ID = 17 A

TRANSYS

IRFZ24NL

HEXFET® Power MOSFET

Infineon

英飞凌

IRFZ24NLPBF

HEXFET Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ24NLPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor

• FEATURES • With TO-262(DPAK) packaging • Surface mount • High speed switching • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz • APPLICATIONS • Switching applications

ISC

无锡固电

IRFZ24NL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFZ24NL

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 55V 17A TO-262

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRFZ24NL供应商更多...

更新时间：2025-12-1 13:25:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市东来宝电子科技有限公司
IRFZ24NMOS(场效应管)
IR
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IRFZ24NMOS(场效应管)
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