位置：首页 > IC中文资料第4130页 > IRFS750
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFS750 | Advanced Power MOSFET FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 400V ■ Low RDS(ON) : 0.254 Ω(Typ.) | Fairchild 仙童半导体 |   | |
Advanced Power MOSFET FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 400V ■ Low RDS(ON) : 0.254 Ω(Typ.) | Fairchild 仙童半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：265.04 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Advanced Power MOSFET | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
QUADRATURE HYBRID 文件：154.02 Kbytes Page：1 Pages | APITECH | | ||
Octave Band and Broadband 文件：291.44 Kbytes Page：5 Pages | APITECH | | ||
QUADRATURE HYBRID 文件：154.01 Kbytes Page：1 Pages | APITECH | | ||
Directional Couplers 文件：291.44 Kbytes Page：5 Pages | APITECH | | ||
QUADRATURE HYBRID 文件：154 Kbytes Page：1 Pages | APITECH | |
IRFS750产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFS750
- 功能描述
MOSFET 400V N-Channel A-FET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
500 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO 220F |
155886 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-220F |
8866 |
||||
FAIRCHILD |
NEW |
TO-220F |
9526 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220F |
8498 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
VB |
23+ |
TO-220F |
7000 |
||||
最新 |
2000 |
原装正品现货 |
|||||
IR(国际整流器) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263 |
986966 |
国产 |
|||
24+ |
TO-220F |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
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