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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IRFS750 | Advanced Power MOSFET FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 400V ■ Low RDS(ON) : 0.254 Ω(Typ.) | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | ||
Advanced Power MOSFET FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 400V ■ Low RDS(ON) : 0.254 Ω(Typ.) | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | |||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件:265.04 Kbytes Page:2 Pages | ISC 无锡固电 | |||
QUADRATURE HYBRID 文件:154.02 Kbytes Page:1 Pages | APITECH | |||
Octave Band and Broadband 文件:291.44 Kbytes Page:5 Pages | APITECH | |||
QUADRATURE HYBRID 文件:154.01 Kbytes Page:1 Pages | APITECH | |||
Directional Couplers 文件:291.44 Kbytes Page:5 Pages | APITECH | |||
QUADRATURE HYBRID 文件:154 Kbytes Page:1 Pages | APITECH |
IRFS750产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFS750
- 功能描述
MOSFET 400V N-Channel A-FET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
24+ |
NA/ |
500 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO 220F |
155886 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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Infineon |
23+ |
D2PAK |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
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F |
22+ |
TO-220F |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
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INFINEON/英飞凌 |
2511 |
TO263-3 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
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INFINE0N |
21+ |
D2PAK (TO-263) |
32568 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
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最新 |
2000 |
原装正品现货 |
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FCS |
24+ |
NA |
9891 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263 |
986966 |
国产 |
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FAIRCHILD |
23+ |
TO-220F |
9526 |
IRFS750规格书下载地址
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