位置：首页 > IC中文资料第3320页 > IRFS640A
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFS640A | Rugged Gate Oxide Technology FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS= 200V Lower RDS(ON) : 0.144 (Typ. ) | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |   | |
IRFS640A | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：59.08 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
IRFS640A | Improved gate charge | Samsung 三星 | | |
IRFS640A | Rugged Gate Oxide Technology | ONSEMI 安森美半导体 | | |
IRFS640A | Improved gate charge 文件：304.43 Kbytes Page：6 Pages | Samsung 三星 | | |
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IRFS640A产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFS640A
- 制造商
Rochester Electronics LLC
- 功能描述
- Bulk
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3350 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
IR |
25+ |
TO220F |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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IR |
24+ |
TO220F |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
IR |
25+23+ |
TO-252 |
40777 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
FAIRCHIL |
25+ |
TO-220F |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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FAIRCHILD |
24+ |
TO-220F |
118 |
||||
FSC |
25+ |
DIP-8 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
|||
原厂 |
23+ |
TO-220F |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
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FAIRCHI |
24+ |
TO-220F |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-220F |
6000 |
原装正品，支持实单 |
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IRFS640A参数引脚图相关
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