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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFS520A

Advanced Power MOSFET

FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ 175°C Operating Temperature ■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100V ■ Lower RDS(ON) : 0.155 Ω(Typ.)

FAIRCHILD

仙童半导体

IRFS520A

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

IRFS520A

Advanced Power MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(VOLTAGE 20 to 100 Volts CURRENT - 5 Ampere)

VOLTAGE 20 to 100 Volts CURRENT - 5 Ampere FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O • For surface mounted applications • Low profile package • Built-in strain relief • Low power loss, High efficiency • High surge ca

PANJIT

強茂

Amplifier with Voltage Controlled Gain, AGCAmp

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国半

Amplifier with Voltage Controlled Gain, AGCAmp

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国半

Amplifier with Voltage Controlled Gain, AGCAmp

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Amplifier with Voltage Controlled Gain, AGCAmp

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国半

IRFS520A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFS520A

  • 功能描述

    MOSFET 100V N-Channel A-FET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-7-23 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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