型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.10ohm,Id=24A)

SMPSMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=24A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SMPSMOSFET

SMPSMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

2.3A20VN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET

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FCI

Amphenol ICC

FCI

HighfrequencyDC-DCconverters

文件:284.75 Kbytes Page:12 Pages

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

IRFS23N20DTRRP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFS23N20DTRRP

  • 功能描述

    MOSFET 200V Single NChannel HEXFET Power MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-14 23:47:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
21+
TO-220(TO-220-3)
8800
公司只作原装正品
IR
2020+
TO-220
8000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
IR
21+
TO220
10026
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
INFINEON/英飞凌
22+
TO-220
100000
代理渠道/只做原装/可含税
INFINEON/IR
1907+
NA
6400
20年老字号,原装优势长期供货
Infineon(英飞凌)
23+
TO220
6000
IR/国际整流器
21+
TO-220
12800
公司只做原装,诚信经营
IR
21+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
Infineon/英飞凌
2023
TO-220(TO-220-3)
6500
公司原装现货/支持实单
INFINEON/英飞凌
21+23+
TO-252
1600
16年电子元件供应商

IRFS23N20DTRRP芯片相关品牌

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