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IRFR3710Z价格

参考价格：￥2.1874

型号：IRFR3710ZPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRFR3710Z多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFR3710Z批发/采购报价，IRFR3710Z行情走势销售排行榜，IRFR3710Z报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
IRFR3710Z	AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and impro	IRF	IRF
IRFR3710Z	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Fast switching • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤18mΩ • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation	ISC 无锡固电	ISC
IRFR3710Z	采用 D-Pak 封装的 100V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFR3710ZPBF	HEXFET짰 Power MOSFET Description This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features co	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFR3710ZPBF	AUTOMOTIVE MOSFET Description This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features co	KERSEMI	KERSEMI
IRFR3710ZPBF	AUTOMOTIVE MOSFET Description This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features co	IRF	IRF
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IRFR3710ZTRLPbF	HEXFET짰 Power MOSFET Description This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features co	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFR3710ZPBF	HEXFET Power MOSFET 文件：4.70307 Mbytes Page：12 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR3710ZPBF	Advanced Process Technology 文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	IRF	IRF
IRFR3710ZPBF	Advanced Process Technology 文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	IRF	IRF
IRFR3710ZPBF_15	Advanced Process Technology 文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	IRF	IRF
IRFR3710ZTRL	HEXFET Power MOSFET 文件：4.70307 Mbytes Page：12 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR3710ZTRLPBF	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	IRF	IRF
IRFR3710ZTRPBF	Advanced Process Technology 文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	IRF	IRF
IRFR3710ZTRPBF	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：1.02463 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AMAUIF3710Z	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET Key Features: • Low rDS(on) trench technology • Low thermal impedance • Fast switching speed	AnalogPower	AnalogPower
3710	General Purpose Packaging Tape 文件：14.65 Kbytes Page：2 Pages	3M	3M
3710	Nytye®Mounting Platforms 文件：241.29 Kbytes Page：1 Pages	Heyco	Heyco
3710EFE	Secondary Side Synchronous Post Regulator 文件：226.91 Kbytes Page：12 Pages	LINER 凌力尔特	LINER
3710Z	59A100V N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR 文件：278.19 Kbytes Page：7 Pages	KIA 可易亚半导体	KIA

IRFR3710Z产品属性

类型
描述
型号
IRFR3710Z
制造商
International Rectifier

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更新时间：2025-11-3 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市拓亿芯电子有限公司	IRFR3710ZTRPBF	IR	23+	TO-252	22000	原装现货假一罚十	询价
深圳市勤思达科技有限公司	IRFR3710ZPBF	IR	24+	N/A	8000	全新原装正品,现货销售	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	IRFR3710ZTRLPBF	INFINEON TECHNOLOGIES AG	25+	SMD	918000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	IRFR3710Z	IR(国际整流器)	24+	N/A	10248	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
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