型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFR24N10D

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:管件 描述:MOSFET N-CH 100V DPAK 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFR24N10D

MOSFET N-CH 100V DPAK

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威世威世科技公司

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES •Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 80 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 12 A) RDS(on)2

RENESAS

瑞萨

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES •Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 80 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 12 A) RDS(on)2

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Up to 110A 460 Vac Phase Angle Controller

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TELEDYNE

华特力科

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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PANJIT

強茂

IRFR24N10D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR24N10D

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 100V DPAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-24 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
34750
原装现货,当天可交货,原型号开票
VISHAY
20+
DPAK
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
Infineon
23+
DPAK
15500
英飞凌优势渠道全系列在售
IR
13+
TO-252
14039
IR
24+
D-Pak
8866
IR
23+
TO-252
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
Vishay Siliconix
22+
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
9000
原厂渠道,现货配单
IR
2023+
TO252
6895
原厂全新正品旗舰店优势现货
IR
24+
65230
IR
23+
DPAK
7000

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