IRFR18N15D价格

参考价格:¥2.6922

型号:IRFR18N15DPBF 品牌:IR 备注:这里有IRFR18N15D多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRFR18N15D批发/采购报价,IRFR18N15D行情走势销售排行榜,IRFR18N15D报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFR18N15D

SMPS MOSFET

Applications High frequency DC-DC converters Benefits 1. Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses 2. Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, (See App. Note AN1001) 3. Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

IRF

IRFR18N15D

N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

IRFR18N15D

SMPS MOSFET

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KERSEMI

IRFR18N15D

采用 D-Pak 封装的 150V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

Low Gate to Drain Charge to Reduce

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KERSEMI

High frequency DC-DC converters

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IRF

SMPS MOSFET

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IRF

High frequency DC-DC converters

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IRF

SMPS MOSFET

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KERSEMI

High frequency DC-DC converters

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IRF

High frequency DC-DC converters

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IRF

Commercial Normally Open Multi-throw, DC-3GHz, Low PIM

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WILLOW

Commercial Normally Open Multi-throw, DC-3GHz, Low PIM

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WILLOW

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WILLOW

IRFR18N15D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR18N15D

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-23 10:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2021+
DPAK
9450
原装现货。
IR
17+
D-Pak
31518
原装正品 可含税交易
NK/南科功率
TO-252
2255
国产南科平替供应大量
INFINEON/英飞凌
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
24+
TO-252
4500
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
INFINEON/英飞凌
18+
TO-252
32
深圳原装无铅现货正规报关
IR
23+
SOT-252
65480
IR
23+24
TO-252
59630
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管
Infineon(英飞凌)
24+
TO-252
9203
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
IR
25+
TO-252
6500
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

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  • IRFR13N20DTRPBF

    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 235mΩ 10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

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