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芯片资料

参考价格：￥2.6922

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IRFR13N20DTRPBF	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 文件：1.77733 Mbytes Page：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRFR13N20	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A) Benefits • Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters	IRF	IRF
IRFR13N20D	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A) Benefits • Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters	IRF	IRF
IRFR13N20D	SMPS MOSFET 文件：3.72818 Mbytes Page：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR13N20D	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.82 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IIRFR13N20D	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.82 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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更新时间：2025-8-9 23:01:00

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IRFR15N20DTRPBF
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2022-10-19
IRFP4668PBF 全新原装现货
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2022-6-27
IRFR13N20DTRPBF
联系人张生电话19926428992 QQ1924037095
2021-10-12
IRFR13N20DTRPBF
属性参数值商品目录场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs，Id) 235mΩ 10V，8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道
2021-10-12
IRFP460PBF
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2021-5-20
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2021-3-12