IRFPS40N60K价格

参考价格:¥60.6132

型号:IRFPS40N60KPBF 品牌:Vishay 备注:这里有IRFPS40N60K多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRFPS40N60K批发/采购报价,IRFPS40N60K行情走势销售排行榜,IRFPS40N60K报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFPS40N60K

HEXFET-R Power MOSFET

文件:140.34 Kbytes Page:8 Pages

IRF

IRFPS40N60K

Enhanced Body Diode dV/dt Capability

文件:183.25 Kbytes Page:9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

IRFPS40N60K

HEXFET-R Power MOSFET

Infineon

英飞凌

MOSFET N-CH600V HEXFET MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技

HEXFET Power MOSFET

文件:176.71 Kbytes Page:8 Pages

IRF

Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT

Short Circuit SOA Capability. 40N60, 40N60A

IXYS

艾赛斯

40A, 600V FIELD STOP IGBT

DESCRIPTION SGT40N60NPFDPN using Field Stop IGBT technology, offer the optimum performance for induction Heating, UPS, SMPS and PFC application. FEATURES 40A, 600V, VCE(sat)(typ.)=1.8V@IC=40A Low conduction loss Fast switching High input impedance

SILAN

士兰微

IGBT

文件:247.74 Kbytes Page:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Super Junction FREDFET

文件:317.04 Kbytes Page:5 Pages

Microsemi

美高森美

Super Junction FREDFET

文件:191.93 Kbytes Page:5 Pages

ADPOW

IRFPS40N60K产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFPS40N60K

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 600V 40 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-4 18:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
IR
25+23+
TO-247
42857
绝对原装正品全新进口深圳现货
VISHAY/威世
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TO-247
56846
只做原厂渠道 可追溯货源
VISHAY/威世
24+
TO-247
8210
原装正品现货,假一赔十
IR
TO-247
800
正品原装--自家现货-实单可谈
IR
24+
QFN
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
Vishay Siliconix
23+
TO274AA
9000
原装正品,支持实单
IR
23+
TO-247
7000
IR(国际整流器)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
IR
24+/25+
TO-220
10000
原装正品现货库存价优

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    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 235mΩ 10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

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