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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 180V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.4Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

Fast Switching Speed

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ISC

无锡固电

N-CHANNEL LOGIC LEVEL POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

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更新时间:2025-11-6 18:58:01
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    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 235mΩ 10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

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