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IRFP27N60K_V02

PowerMOSFET

FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanchevoltage andcurrent •EnhancedbodydiodedV/dtcapability •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
更新时间:2025-7-25 23:00:00
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