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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFP252 | N-Channel Power Mosfets
| Samsung 三星 |   | |
IRFP252 | N-Channel(Hexfet Transistors)
| IRF | | |
IRFP252 | High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series FEATURES: • Fast switching times • Low RDS(on) HDMOS™ process • Rugged polysilicon gate cell structure • Excellent high voltage stability • Low input capacitance • Improved high temperature reliability APPLICATIONS: • Switching power supplies • Motor controls • Audio Amplifiers • Invert | IXYS 艾赛斯 | | |
IRFP252 | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
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IRFP252产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFP252
- 制造商
SAMSUNG
- 制造商全称
Samsung semiconductor
- 功能描述
N-Channel Power Mosfets
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SMG |
05+ |
原厂原装 |
57 |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
MOTOROLA |
23+ |
DIP |
6500 |
全新原装假一赔十 |
|||
sam |
2023+ |
原厂封装 |
50000 |
原装现货 |
|||
IR |
21+ |
TO-247 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
IR/VISH |
24+ |
65230 |
|||||
IR |
22+ |
TO-247 |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
|||
IR |
16+ |
TO-3P |
10000 |
全新原装现货 |
|||
IR |
23+ |
原厂封装 |
9888 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
25+ |
20 |
公司优势库存 热卖中! |
|||||
IR |
2022+ |
12 |
全新原装 货期两周 |
IRFP252规格书下载地址
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2019-4-26
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