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IRFIB6N60A价格
参考价格：￥6.9996
型号：IRFIB6N60APBF 品牌：Vishay 备注：这里有IRFIB6N60A多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFIB6N60A批发/采购报价，IRFIB6N60A行情走势销售排行榜，IRFIB6N60A报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFIB6N60A | PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)max=0.75ohm,Id=5.5A) Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptablePowerSupply Highspeedpowerswitching HighVoltageIsolation=2.5KVRMS Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness FullyCharacteri | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
IRFIB6N60A | VishaySiliconix FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  | |
IRFIB6N60A | iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：319.83 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
HEXFETPowerMOSFET Benefits LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptablePowerSupply Highspeedpowe | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
PowerMOSFET 文件：200.13 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
PowerMOSFET 文件：200.13 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
6.2Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC6N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplications | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
AvalancheEnergySpecified DESCRITION ·Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.2Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleDriveRequirements | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
N-CHANNELPOWERMOSFET 文件：460.3 Kbytes Page：6 Pages | ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司 |  | | |
N-ChannelPowerMOSFET 文件：486.21 Kbytes Page：10 Pages | NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司 |  | | |
N-Channel600V(D-S)PowerMOSFET 文件：1.0803 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
IRFIB6N60A产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFIB6N60A
- 功能描述
MOSFET N-Chan 600V 5.5 Amp
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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IR |
22+ |
TO-220F |
88343 |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
|||
IR |
22+ |
TO-220F |
88343 |
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utc |
2023+ |
TO-220F |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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IR |
16+ |
原厂封装 |
326 |
原装现货假一罚十 |
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Vishay(威世) |
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Vishay Siliconix |
24+ |
TO-220-3 |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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IR |
1950+ |
TO-220 |
9852 |
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IR |
23+ |
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全新原装现货 |
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2020+ |
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2019-3-7
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