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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IRFH5020TR2PBF | HEXFETPowerMOSFET FeaturesandBenefits Features LowRDSon LowThermalResistancetoPCB(≤0.5°C/W) 100Rgtested LowProfile(≤0.9mm) Industry-StandardPinout CompatiblewithExistingSurfaceMountTechniques RoHSCompliantContainingnoLead,noBromideandnoHalogen MSL1,Industrial | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | ||
IRFH5020TR2PBF | HEXFETPowerMOSFET 文件:258.899 Kbytes Page:9 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |
IRFH5020TR2PBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFH5020TR2PBF
- 功能描述
MOSFET MOSFT 200V 41A 59mOhm 36nC Qg
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Infineon Technologies |
21+ |
8VQFN |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
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IR |
19+ |
11 |
74864 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂; |
|||
INFINEON/英飞凌 |
19+ |
QFN |
2500 |
正规报关原装现货系列订货技术支持 |
|||
IR |
23+ |
DFN5X6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IR |
20+ |
QR |
65300 |
一级代理/放心购买! |
|||
IR |
2016+ |
PQFN |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
IR |
18+ |
QFN8 |
259 |
请放心是现货的,原厂原装正品 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
8VQFN |
9000 |
原装正品,支持实单 |
|||
InfineonTechnologies |
2019+ |
8-VQFN |
65500 |
原装正品货到付款,价格优势! |
IRFH5020TR2PBF规格书下载地址
IRFH5020TR2PBF参数引脚图相关
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- l100
- ku波段
- kt250
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- k9f1208
- k310
- k2698
- k233
- k2055
- k2010
- jumper
- jtag接口
- jk触发器
- j111
- j108
- isd1420
- IRFL640
- IRFL214
- IRFL210
- IRFL110
- IRFL024
- IRFL014
- IRFJ240
- IRFIZ48
- IRFI830
- IRFI820
- IRFI740
- IRFI734
- IRFI644
- IRFI640
- IRFI634
- IRFI630
- IRFI460
- IRFI360
- IRFI260
- IRFI064
- IRFH5206TRPBF
- IRFH5206TR2PBF
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IRFB7534PBF
原装
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2019-5-5
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